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     虽然真空管曾经是早期电子元件的基本核心部件，但在1970年代，真空管基本上被半导体晶体管所取代。然而，近年来，ASA(ASA)Ames研究中心的研究人员一直在开发纳米沟道晶体管(VCT，纳米真空通道晶体管)，它结合了真空管和现代半导体晶体管的优点。

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     与传统的晶体管相比，纳米真空沟道晶体管更快，更耐高温和辐射等极端环境。这些优点使纳米真空通道晶体管成为抗辐射深空通信、高频器件和太赫兹电子器件的理想选择。此外，纳米真空通道器件有望继续延续摩尔定律，这一定律即将结束。

     与半导体晶体管相比，传统真空管有着明显的缺点，体积大，能耗严重，因此逐渐被淘汰。对于纳米真空沟道晶体管来说，尺寸不再是人们关注的问题。由于现代半导体制造技术在器件制造过程中的应用，晶体管的尺寸只能达到几纳米级。为了解决更紧迫的能源消耗问题，艾姆斯研究中心的研究人员最近设计了一种硅基纳米真空沟道晶体管，该晶体管具有改进的栅结构，将驱动电压从几十伏特降低到5伏特以下，从而有效地降低了能源消耗。这项研究发表在最新一期的“纳米快速宝藏”上。

     在纳米真空沟道晶体管中，栅极通过驱动电压控制源和漏极之间的电子流动。相反，传统的真空管通过加热装置的发射极释放电子。由于电子发射路径处于真空状态，电子的运动速度很高，这也是真空管快速运转的根本原因。

     纳米沟道晶体管没有真正的真空环境.相反，电子通过充满惰x气体的空间，如氦。由于天津移动场源漏距离很小(约50 m)，电子在运动过程中与气体分子碰撞的几率很低，因此在这种准真空环境中电子的速度与实际真空中的电子速度非常接近。即使电子与气体分子碰撞，气体分子也不会被电离，因为器件的工作电压很低。

     这种新型真空沟道晶体管最大的优点是它对高温和电离辐射有很强的抵抗力，这使得它有望应用于j事和空间应用中常见的极端环境中。最新的实验结果表明，纳米真空沟道晶体管的x能仍然稳定在200℃。相反，传统的半导体晶体管在这种温度下将停止工作。验证试验还表明，新型纳米真空沟道晶体管具有很强的抗γ射线和质子辐射的能力。

     未来，研究人员计划进一步改善纳米真空沟道晶体管的x能.该研究方案包括对器件结构和材料x能的纳米建模，并对器件的老化机理进行了研究，以提高器件的可靠x，延长器件的使用寿命。